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在冶炼山西碳化硅时,也会由于各种因素,生产出品质不合格的碳化硅。而碳元素过量是碳化硅较常见的问题之一。结晶筒内有游离炭粒,是碳过量严重时的明显特征,容易出现炭粒的部位是结晶倚的下部和外侧,因为根据气体流动的方向,这些地方硅化剂蒸气的浓度较低。那么,造成碳化硅碳元素过量的原因有哪些呢。
1、混料不均可产生局部碳过量。
2、炉料配比碳过量。与炉料硅过量一样,主要原因有,原材料取样、化验、算料、配料有误,配方设计不合理。
3、碳质原料粒度过粗,反应不完全。
4、送电时间短或冶炼功率低,炉心过大等造成sic结晶分解层较薄,补充的硅化剂蒸气来源比正常少。
其实,在冶炼碳化硅时,如果出现碳过量的问题,可适当增加冶炼功率或延长冶炼时间以增加sic的分解。我公司从事碳化硅生产及销售工作多年,在碳化硅生产方面有着成熟的技术,丰富的经验,可以根据用户的需求,推荐及提供,经济实用的碳化硅。
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